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RQ6E050ATTCR  与  BSL305SPE H6327  区别

型号 RQ6E050ATTCR BSL305SPE H6327
唯样编号 A3-RQ6E050ATTCR A-BSL305SPE H6327
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 27mΩ@5A,10V -
漏源极电压Vds 30V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 SOT-23-6,TSOT-23-6 PG-TSOP6-6
连续漏极电流Id 5A(Ta) -
工作温度 150°C(TJ) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 940pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20.8nC @ 10V -
库存与单价
库存 95 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ6E050ATTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 30V 5A(Ta) ±20V 1.25W(Ta) 27mΩ@5A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6

暂无价格 95 当前型号
BSL305SPE H6327 Infineon 小信号MOSFET

BSL305SPEH6327XTSA1_PG-TSOP6-6 车规

暂无价格 0 对比

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